العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > دائرة حماية > تفس - الثنائيات > 1N6108
1N6108
رقم القطعة:
1N6108
الصانع:
Microsemi
وصف:
TVS DIODE 9.1VWM BPKG AXIAL
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
الكمية المتوفرة:
13335 Pieces
ورقة البيانات:
1N6108.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل 1N6108 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك 1N6108 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى 1N6108 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - عكس مأزق (الطباع):9.1V
الجهد - لقط (ماكس) @ إيب:17.75V
الجهد - انهيار (دقيقة):10.83V
اكتب:Zener
تجار الأجهزة حزمة:Axial
سلسلة:-
حماية خط الطاقة:No
السلطة - ذروة نبض:500W
التعبئة والتغليف:Bulk
حزمة / كيس:B, Axial
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:17 Weeks
الصانع الجزء رقم:1N6108
وصف:TVS DIODE 9.1VWM BPKG AXIAL
الحالي - ذروة نبض (10 / 1000μs):28.12A
السعة @ التردد:-
القنوات ثنائية الاتجاه:1
التطبيقات:General Purpose
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة ل1N6108

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
1N6104 Microsemi Corporation TVS DIODE 6.2VWM BPKG AXIAL تحقيق
1N6108A Microsemi Corporation TVS DIODE 9.1VWM BPKG AXIAL تحقيق
1N6108US Image 1N6108US Microsemi Corporation TVS DIODE 9.1VWM 17.75VC SQMELF تحقيق
1N6109US Image 1N6109US Microsemi Corporation TVS DIODE 9.9VWM 19.11VC SQMELF تحقيق
1N6105US Image 1N6105US Microsemi Corporation TVS DIODE 6.9VWM 14.07VC SQMELF تحقيق
1N6109 Microsemi Corporation TVS DIODE 9.9VWM BPKG AXIAL تحقيق
1N6109A Microsemi Corporation TVS DIODE 9.9VWM BPKG AXIAL تحقيق
1N6100 Microsemi Corporation TVS DIODE 14CFLATPACK تحقيق
1N6106US Image 1N6106US Microsemi Corporation TVS DIODE 7.6VWM 15.23VC SQMELF تحقيق
1N6103US Image 1N6103US Microsemi Corporation TVS DIODE 5.7VWM 11.76VC SQMELF تحقيق
1N6108AUS Image 1N6108AUS Microsemi Corporation TVS DIODE 9.1VWM 16.9VC SQMELF تحقيق
1N6103AUS Image 1N6103AUS Microsemi Corporation TVS DIODE 5.7VWM 11.2VC SQMELF تحقيق
1N6109AUS Image 1N6109AUS Microsemi Corporation TVS DIODE 9.9VWM 18.2VC SQMELF تحقيق
1N6105A Microsemi Corporation TVS DIODE 6.9VWM BPKG AXIAL تحقيق
1N6105 Microsemi Corporation TVS DIODE 6.9VWM BPKG AXIAL تحقيق
1N6101 Microsemi Corporation TVS DIODE 16CDIP تحقيق
1N6104A Microsemi Corporation TVS DIODE 6.2VWM BPKG AXIAL تحقيق
1N6107US Image 1N6107US Microsemi Corporation TVS DIODE 8.4VWM 16.38VC SQMELF تحقيق
1N6107A Image 1N6107A Microsemi Corporation TVS DIODE 8.4VWM BPKG AXIAL تحقيق
1N6104US Image 1N6104US Microsemi Corporation TVS DIODE 6.2VWM 12.71VC SQMELF تحقيق

Latest الأخبار