1N6625US
1N6625US
رقم القطعة:
1N6625US
الصانع:
Microsemi
وصف:
DIODE GEN PURP 1.1KV 1A A-MELF
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
الكمية المتوفرة:
13426 Pieces
ورقة البيانات:
1N6625US.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل 1N6625US ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك 1N6625US عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى 1N6625US مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا:1.75V @ 1A
الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس):1100V (1.1kV)
تجار الأجهزة حزمة:A-MELF
سرعة:Fast Recovery = 200mA (Io)
سلسلة:-
عكس وقت الاسترداد (TRR):60ns
التعبئة والتغليف:Bulk
حزمة / كيس:SQ-MELF, A
درجة حرارة التشغيل - تقاطع:-65°C ~ 150°C
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:17 Weeks
الصانع الجزء رقم:1N6625US
وصف موسع:Diode Standard 1100V (1.1kV) 1A Surface Mount A-MELF
نوع الصمام الثنائي:Standard
وصف:DIODE GEN PURP 1.1KV 1A A-MELF
التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي:1µA @ 1100V
الحالي - متوسط ​​مصحح (أيو):1A
السعة @ الواقع الافتراضي، F:10pF @ 10V, 1MHz
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات