العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الثنائيات الصمامات--واحد > 1N6628
1N6628
1N6628
رقم القطعة:
1N6628
الصانع:
Microsemi
وصف:
DIODE GEN PURP 600V 1.75A AXIAL
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
19018 Pieces
ورقة البيانات:
1N6628.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل 1N6628 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك 1N6628 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى 1N6628 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا:1.35V @ 2A
الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس):600V
تجار الأجهزة حزمة:A-PAK
سرعة:Fast Recovery = 200mA (Io)
سلسلة:-
عكس وقت الاسترداد (TRR):45ns
التعبئة والتغليف:Bulk
حزمة / كيس:A, Axial
اسماء اخرى:Q1879386A
درجة حرارة التشغيل - تقاطع:-65°C ~ 150°C
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:17 Weeks
الصانع الجزء رقم:1N6628
وصف موسع:Diode Standard 600V 1.75A Through Hole A-PAK
نوع الصمام الثنائي:Standard
وصف:DIODE GEN PURP 600V 1.75A AXIAL
التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي:2µA @ 600V
الحالي - متوسط ​​مصحح (أيو):1.75A
السعة @ الواقع الافتراضي، F:-
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة ل1N6628

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
1N6627US Image 1N6627US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 440V 1.75A A-MELF تحقيق
1N6625E3 Image 1N6625E3 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL تحقيق
1N6625 Image 1N6625 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL تحقيق
1N6622 Image 1N6622 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 600V 1.2A AXIAL تحقيق
1N6627 Image 1N6627 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL تحقيق
1N6629 Image 1N6629 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL تحقيق
1N6624US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 990V 1A A-MELF تحقيق
1N6626 Image 1N6626 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL تحقيق
1N6620 Image 1N6620 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 220V 1.2A AXIAL تحقيق
1N6629US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 880V 1.4A A-MELF تحقيق
1N6623 Image 1N6623 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 880V 1A AXIAL تحقيق
1N6621US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 440V 1.2A A-MELF تحقيق
1N6623US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 880V 1A A-MELF تحقيق
1N6624 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 990V 1A A-PAK تحقيق
1N6621 Image 1N6621 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 440V 1.2A AXIAL تحقيق
1N6625US Image 1N6625US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1.1KV 1A A-MELF تحقيق
1N6628US Image 1N6628US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 660V 1.75A A-MELF تحقيق
1N6626US Image 1N6626US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 220V 1.75A A-MELF تحقيق
1N6622US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF تحقيق
1N6620US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 220V 1.2A A-MELF تحقيق

Latest الأخبار