يشترى 275-101N30A-00 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
275-101N30A-00
- رقم القطعة:
- 275-101N30A-00
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- RF MOSFET N-CHANNEL DE275
- الكمية المتوفرة:
- 14609 Pieces
- ورقة البيانات:
- 275-101N30A-00.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل 275-101N30A-00 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك 275-101N30A-00 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | - |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 100V |
| نوع الترانزستور: | N-Channel |
| تجار الأجهزة حزمة: | DE275 |
| سلسلة: | DE |
| مخرج قوي: | 550W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | 275-101N30A-00 |
| ربح: | - |
| تردد: | - |
| وصف موسع: | RF Mosfet N-Channel 550W DE275 |
| وصف: | RF MOSFET N-CHANNEL DE275 |
| التصويت الحالي: | 25µA |
| الحالي - اختبار: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل275-101N30A-00
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF7G27L-75P,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121A | تحقيق |
 |
MRF7S18125AHR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.88GHZ NI780 | تحقيق |
 |
NE350184C | CEL | FET RF 4V 20GHZ MICRO-X | تحقيق |
|
MRFE6S9130HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 66V 880MHZ NI-780 | تحقيق |
 |
BLF6G10LS-135RN,11 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B | تحقيق |
 |
A2I08H040NR1 | NXP USA Inc. | IC RF LDMOS AMP | تحقيق |
 |
MRFE6S9200HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 66V 880MHZ NI-880 | تحقيق |
 |
BLF10H6600PSU | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539B | تحقيق |
 |
PTFA081501E1V4R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC RF FET LDMOS H-36248-2 | تحقيق |
 |
BLF8G09LS-400PGWJ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242C | تحقيق |
|
MRF8S21100HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI780HS | تحقيق |
 |
2N5951 | Fairchild/ON Semiconductor | JFET N-CH 30V 13MA TO92 | تحقيق |
 |
275X2-102N06A-00 | IXYS | RF MOSFET 2N-CHANNEL DE275 | تحقيق |
 |
275-102N06A-00 | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL DE275 | تحقيق |
|
BLL6H1214LS-250,11 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502B | تحقيق |
 |
275-501N16A-00 | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL DE275 | تحقيق |
|
275-201N25A-00 | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL DE275 | تحقيق |
|
275X2-501N16A-00 | IXYS | RF MOSFET 2N-CHANNEL DE275 | تحقيق |
 |
PTFA212401F V4 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 240W H-37260-2 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog