2N3819 - ON Semiconductor - الترانزستورات - فيتس، موسيتس - رف 2N3819 - BYCHIPS

2N3819

رقم القطعة:: 2N3819

الصانع:: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

وصف:: JFET N-CH 25V 100MA TO92

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة

الكمية المتوفرة:: 16526 Pieces

ورقة البيانات:: 2N3819.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل 2N3819 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك 2N3819 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى 2N3819 مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - اختبار:	-
الجهد - تقييمه:	25V
نوع الترانزستور:	N-Channel JFET
تجار الأجهزة حزمة:	TO-92-3
سلسلة:	-
مخرج قوي:	-
التعبئة والتغليف:	Bulk
حزمة / كيس:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
اسماء اخرى:	2N3819OS
الضوضاء الشكل:	-
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:	2N3819
ربح:	-
تردد:	-
وصف موسع:	RF Mosfet N-Channel JFET TO-92-3
وصف:	JFET N-CH 25V 100MA TO92
التصويت الحالي:	100mA
الحالي - اختبار:	-
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة ل2N3819

صورة	رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
	CGHV60040D	Cree/Wolfspeed	RF MOSFET HEMT 50V DIE	تحقيق
	ON5258,215	Nexperia USA Inc.	MOSFET RF SOT23 TO-236AB	تحقيق
	MRF6P23190HR5	NXP USA Inc.	FET RF 68V 2.39GHZ NI-1230	تحقيق
	3SK293(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	FET RF 12.5V 800MHZ USQ	تحقيق
	MAGX-000035-030000	M/A-Com Technology Solutions	TRANSISTOR GAN 30WCW 0.03-3.5GHZ	تحقيق
	BG3130H6327XTSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363	تحقيق
	BLF6G20S-45,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19.2DB SOT608B	تحقيق
	MRFG35010ANR5	NXP USA Inc.	FET RF 15V 3.55GHZ NI360HF	تحقيق
	BLF8G27LS-100J	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B	تحقيق
	MRF5S4140HR5	NXP USA Inc.	FET RF 65V 465MHZ NI-780	تحقيق
	BF998WR,115	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 12V 30MA SOT343R	تحقيق
	BLC8G22LS-450AVZ	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 14DB SOT12583	تحقيق

Latest الأخبار