يشترى 2N7002E,215 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
2N7002E,215
- رقم القطعة:
- 2N7002E,215
- وصف:
- MOSFET N-CH 60V 0.385A SOT23
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17381 Pieces
- ورقة البيانات:
- 2N7002E,215.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل 2N7002E,215 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك 2N7002E,215 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-236AB (SOT23) |
| سلسلة: | TrenchMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 3 Ohm @ 500mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 830mW (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| اسماء اخرى: | 2N7002E T/R 2N7002E T/R-ND 2N7002E,215-ND 568-4858-2 934056996215 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | 2N7002E,215 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 50pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 0.69nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 60V 385mA (Ta) 830mW (Ta) Surface Mount TO-236AB (SOT23) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف: | MOSFET N-CH 60V 0.385A SOT23 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 385mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل2N7002E,215
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
STF120NF10 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 41A TO-220FP | تحقيق |
 |
MCH3474-TL-H | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 4A MCPH3 | تحقيق |
 |
2N7002F,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 475MA SOT23 | تحقيق |
 |
2N7002PT,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 0.31A SOT-416 | تحقيق |
|
2N7002T,215 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23 | تحقيق |
|
2N7002BKT,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 290MA SOT416 | تحقيق |
 |
FQA55N25 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 55A TO-3P | تحقيق |
 |
GP1M011A050FSH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 10A TO220F | تحقيق |
|
2N7002K,215 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 340MA SOT23 | تحقيق |
 |
2N7000,126 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 300MA TO-92 | تحقيق |
 |
2N7002PM,315 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-883 | تحقيق |
 |
IPB80N08S406ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3 | تحقيق |
 |
BUK754R3-40B,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB | تحقيق |
 |
BS107ARL1 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog