يشترى 2N7002PM,315 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
2N7002PM,315
- رقم القطعة:
- 2N7002PM,315
- وصف:
- MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-883
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12574 Pieces
- ورقة البيانات:
- 2N7002PM,315.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل 2N7002PM,315 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك 2N7002PM,315 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | - |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | DFN1006-3 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | - |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 250mW (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SC-101, SOT-883 |
| اسماء اخرى: | 934064133315 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | 2N7002PM,315 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | - |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 60V 300mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount DFN1006-3 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف: | MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-883 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 300mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل2N7002PM,315
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
2N7002F,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 475MA SOT23 | تحقيق |
 |
DMG4468LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 7.62A DFN3030-8 | تحقيق |
|
2N7002E,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 0.385A SOT23 | تحقيق |
 |
FCH104N60F_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 37A TO247 | تحقيق |
|
2N7002K,215 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 340MA SOT23 | تحقيق |
|
2N7002T,215 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23 | تحقيق |
 |
DMP3036SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 30V 11.4A 8-SO | تحقيق |
 |
IRLR3410TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 17A DPAK | تحقيق |
 |
2N7002BKT,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 290MA SOT416 | تحقيق |
 |
IXFP18N60X | IXYS | MOSFET N-CH 600V 18A TO-220 | تحقيق |
|
2N7002PT,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 0.31A SOT-416 | تحقيق |
 |
2N7000,126 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 300MA TO-92 | تحقيق |
 |
SPP10N10 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-220 | تحقيق |
 |
IRF3805S-7PPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK-7 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog