يشترى 2SK3074TE12LF مع BYCHPS
شراء مع ضمان
2SK3074TE12LF
- رقم القطعة:
- 2SK3074TE12LF
- الصانع:
- Toshiba Semiconductor
- وصف:
- MOSF RF N CH 30V 1A PW-MINI
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14500 Pieces
- ورقة البيانات:
- 2SK3074TE12LF.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل 2SK3074TE12LF ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك 2SK3074TE12LF عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 9.6V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 30V |
| نوع الترانزستور: | N-Channel |
| تجار الأجهزة حزمة: | SC-62 |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 630mW |
| التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
| حزمة / كيس: | TO-243AA |
| اسماء اخرى: | 2SK3074TE12LFDKR |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | 2SK3074TE12LF |
| ربح: | 14.9dB |
| تردد: | 520MHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet N-Channel 9.6V 50mA 520MHz 14.9dB 630mW SC-62 |
| وصف: | MOSF RF N CH 30V 1A PW-MINI |
| التصويت الحالي: | 1A |
| الحالي - اختبار: | 50mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل2SK3074TE12LF
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
2SK3078A(TE12L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | FET RF N-CH 10V 470 MHZ PW-MINI | تحقيق |
 |
BLF879PS,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539B | تحقيق |
 |
BLF346,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET NCHA 65V 16DB SOT119A | تحقيق |
 |
ATF-55143-TR2G | Broadcom Limited | FET RF 5V 2GHZ SOT-343 | تحقيق |
 |
2SK3068(TE24L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 500V 12A TO220SM | تحقيق |
 |
BF909,215 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 7V 40MA SOT143 | تحقيق |
 |
2SK3079ATE12LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSF RF N CH 10V PW-X | تحقيق |
 |
MRF8S18260HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230S-8 | تحقيق |
|
MRF372R5 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 863MHZ NI-860C3 | تحقيق |
|
2SK3075(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSF RF N CH 30V 5A PW-X | تحقيق |
 |
BLF8G09LS-270WU | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1244B | تحقيق |
 |
PTFA072401ELV4XWSA1 | Infineon Technologies | FET RF LDMOS 240W H33288-2 | تحقيق |
 |
BLF3G21-6,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT538A | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog