يشترى A2T21S260-12SR3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
A2T21S260-12SR3
- رقم القطعة:
- A2T21S260-12SR3
- وصف:
- IC TRANS RF LDMOS
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15633 Pieces
- ورقة البيانات:
- A2T21S260-12SR3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل A2T21S260-12SR3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك A2T21S260-12SR3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 28V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 65V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | NI-780-2S2L |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 65W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | NI-780-2S2L |
| اسماء اخرى: | 935320716128 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | A2T21S260-12SR3 |
| ربح: | 18.7dB |
| تردد: | 2.17GHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS 28V 1.2A 2.17GHz 18.7dB 65W NI-780-2S2L |
| وصف: | IC TRANS RF LDMOS |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 1.2A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لA2T21S260-12SR3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
A2T21S160-12SR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | تحقيق |
 |
MMRF1318NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 110V 450MHZ | تحقيق |
|
A2T21H410-24SR6 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | تحقيق |
 |
BLS6G2731-6G,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 60V 15DB SOT975C | تحقيق |
 |
BLF6H10LS-160,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 20DB SOT467B | تحقيق |
|
A2T21H100-25SR3 | NXP USA Inc. | IC RF LDMOS TRANS CELL | تحقيق |
 |
PTFB211503ELV1R0XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS H-33288-6 | تحقيق |
 |
BLF7G27L-90P,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1121A | تحقيق |
 |
PD85004 | STMicroelectronics | FET RF 40V 870MHZ | تحقيق |
|
ON5441,518 | NXP USA Inc. | MOSFET RF 20SOIC | تحقيق |
|
BLF1820-90,112 | NXP USA Inc. | TRANSISTOR RF LDMOS SOT502A | تحقيق |
 |
MAGX-001214-250L00 | M/A-Com Technology Solutions | TRANSISTOR GAN 250W 1.2-1.4GHZ | تحقيق |
 |
MRFE6S9135HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 66V 940MHZ NI-880 | تحقيق |
|
A2T21H360-24SR6 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog