يشترى BLF6H10LS-160,118 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BLF6H10LS-160,118
- رقم القطعة:
- BLF6H10LS-160,118
- الصانع:
- Ampleon
- وصف:
- RF FET LDMOS 104V 20DB SOT467B
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18288 Pieces
- ورقة البيانات:
- BLF6H10LS-160,118.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BLF6H10LS-160,118 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BLF6H10LS-160,118 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 50V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 104V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | LDMOST |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 38W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SOT467B |
| اسماء اخرى: | 934065658118 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 13 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | BLF6H10LS-160,118 |
| ربح: | 20dB |
| تردد: | 952.5MHz ~ 957.5MHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS 50V 600mA 952.5MHz ~ 957.5MHz 20dB 38W LDMOST |
| وصف: | RF FET LDMOS 104V 20DB SOT467B |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 600mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBLF6H10LS-160,118
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
ON5441,518 | NXP USA Inc. | MOSFET RF 20SOIC | تحقيق |
 |
BLF6H10L-160,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 20DB SOT467C | تحقيق |
 |
NE55410GR-T3-AZ | CEL | FET RF 65V 2.14GHZ 16-HTSSOP | تحقيق |
 |
PXAC261002FCV1XWSA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | تحقيق |
 |
BLF6G27-10G,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C | تحقيق |
 |
BLF6H10LS-160,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 20DB SOT467B | تحقيق |
 |
CGHV22100F | Cree/Wolfspeed | FET RF 125V 2.2GHZ 440162 | تحقيق |
 |
BLC9G20LS-120VY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19.2DB SOT12753 | تحقيق |
|
MRF6S19100HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 1.99GHZ NI-780S | تحقيق |
 |
PD55003S | STMicroelectronics | FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10 | تحقيق |
|
PTFB211503ELV1R0XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS H-33288-6 | تحقيق |
 |
BLS6G2735LS-30,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 60V 13DB SOT1135B | تحقيق |
 |
BF1100WR,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 14V 30MA SOT343R | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog