يشترى A2T23H300-24SR6 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
A2T23H300-24SR6
- رقم القطعة:
- A2T23H300-24SR6
- وصف:
- IC TRANS RF LDMOS
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14718 Pieces
- ورقة البيانات:
- A2T23H300-24SR6.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل A2T23H300-24SR6 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك A2T23H300-24SR6 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 28V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 65V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS (Dual) |
| تجار الأجهزة حزمة: | NI-1230-4LS2L |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 66W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | NI-1230-4LS2L |
| اسماء اخرى: | 935322359128 A2T23H300-24SR6-ND A2T23H300-24SR6TR |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | A2T23H300-24SR6 |
| ربح: | 14.9dB |
| تردد: | 2.3GHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 750mA 2.3GHz 14.9dB 66W NI-1230-4LS2L |
| وصف: | IC TRANS RF LDMOS |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 750mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لA2T23H300-24SR6
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
ATF-511P8-BLK | Broadcom Limited | FET RF 7V 2GHZ 8-LPCC | تحقيق |
 |
BLF6G10-45,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT608A | تحقيق |
 |
BLF25M612,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975B | تحقيق |
 |
PD57060STR-E | STMicroelectronics | FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10 | تحقيق |
 |
2SK2854(TE12L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET RF N CH 10V 500MA | تحقيق |
 |
PTFA212001EV4R250XTMA1 | Infineon Technologies | FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2 | تحقيق |
 |
MRF5S21045MBR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.17GHZ TO272-4 | تحقيق |
 |
SLD-1083CZ | RFMD | FET RF 35V 928MHZ RF083 | تحقيق |
|
A2T23H160-24SR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | تحقيق |
 |
BLF573S,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 110V 27.2DB SOT502B | تحقيق |
 |
BLL6H1214-500,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539A | تحقيق |
|
MRF19125R3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.93GHZ NI-880 | تحقيق |
 |
MRFE6VP100HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 133V 512MHZ NI780 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog