يشترى MRFE6VP100HSR5 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
MRFE6VP100HSR5
- رقم القطعة:
- MRFE6VP100HSR5
- وصف:
- FET RF 2CH 133V 512MHZ NI780
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13062 Pieces
- ورقة البيانات:
- MRFE6VP100HSR5.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل MRFE6VP100HSR5 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك MRFE6VP100HSR5 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 50V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 133V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | NI-780S-4 |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 100W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | NI-780S-4 |
| اسماء اخرى: | 935314736178 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | MRFE6VP100HSR5 |
| ربح: | 26dB |
| تردد: | 512MHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS 50V 100mA 512MHz 26dB 100W NI-780S-4 |
| وصف: | FET RF 2CH 133V 512MHZ NI780 |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 100mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMRFE6VP100HSR5
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
MRFE6S9130HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 66V 880MHZ NI-780 | تحقيق |
 |
MRFE6VP6300HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780S-4 | تحقيق |
 |
MRFE6S9200HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 66V 880MHZ NI-880 | تحقيق |
 |
MRFE6VP61K25HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230 | تحقيق |
 |
MRFE6VP6300HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780-4 | تحقيق |
|
MRFE6VP100HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 133V 512MHZ NI780 | تحقيق |
|
MRFE6VP6300HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780S-4 | تحقيق |
 |
MRFE6S9045GNR1 | NXP USA Inc. | FET RF 66V 880MHZ TO-270-2 | تحقيق |
 |
MRFE6VP6600GNR3 | NXP USA Inc. | TRANS RF LDMOS 600W 50V | تحقيق |
|
MRFE6S9135HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 66V 940MHZ NI-880 | تحقيق |
|
MRFE6S9046GNR1 | NXP USA Inc. | FET RF 66V 960MHZ TO-270-4 | تحقيق |
 |
MRFE6VS25GNR1 | NXP USA Inc. | FET RF 133V 512MHZ TO-270-2 | تحقيق |
 |
MRFE6VP61K25GNR6 | NXP USA Inc. | TRANS RF LDMOS 1250W 50V | تحقيق |
 |
MRFE6VP5600HSR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230S | تحقيق |
|
MRFE6S9201HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 66V 880MHZ NI-780 | تحقيق |
|
MRFE6S9201HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 66V 880MHZ NI-780S | تحقيق |
|
MRFE6VP61K25HR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230 | تحقيق |
 |
MRFE6VP6600NR3 | NXP USA Inc. | TRANS RF LDMOS 600W 50V | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog