العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - رف > AFT18H357-24NR6
AFT18H357-24NR6
رقم القطعة:
AFT18H357-24NR6
الصانع:
NXP Semiconductors / Freescale
وصف:
IC TRANS RF LDMOS
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
18956 Pieces
ورقة البيانات:
1.AFT18H357-24NR6.pdf2.AFT18H357-24NR6.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل AFT18H357-24NR6 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك AFT18H357-24NR6 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى AFT18H357-24NR6 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - اختبار:28V
الجهد - تقييمه:65V
نوع الترانزستور:LDMOS (Dual)
تجار الأجهزة حزمة:OM-1230-4L2L
سلسلة:-
مخرج قوي:63W
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:OM-1230-4L2L
اسماء اخرى:935312802528
الضوضاء الشكل:-
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):3 (168 Hours)
الصانع المهلة القياسية:10 Weeks
الصانع الجزء رقم:AFT18H357-24NR6
ربح:17.5dB
تردد:1.81GHz
وصف موسع:RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 800mA 1.81GHz 17.5dB 63W OM-1230-4L2L
وصف:IC TRANS RF LDMOS
التصويت الحالي:-
الحالي - اختبار:800mA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لAFT18H357-24NR6

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
AFT18S260W31SR3 NXP USA Inc. IC TRANS RF LDMOS تحقيق
AFT18H356-24SR6 NXP USA Inc. FET RF 2CH 65V 1.88GHZ NI1230-4 تحقيق
MRF8S21200HSR6 Image MRF8S21200HSR6 NXP USA Inc. FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI-1230HS تحقيق
AFT18H357-24SR6 NXP USA Inc. FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230-4 تحقيق
AFT18S230-12NR3 NXP USA Inc. IC TRANS RF LDMOS تحقيق
AFT18S230SR3 NXP USA Inc. FET RF 65V 1.88GHZ NI780S-6 تحقيق
PTAC260302FCV1XWSA1 Infineon Technologies IC AMP RF LDMOS تحقيق
AFT18S260W31GSR3 NXP USA Inc. IC TRANS RF LDMOS تحقيق
AFT18S230SR5 NXP USA Inc. FET RF 65V 1.88GHZ NI780S-6 تحقيق
PD84008S-E Image PD84008S-E STMicroelectronics TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF تحقيق
AFT18S290-13SR3 NXP USA Inc. FET RF 65V 1.96GHZ NI-880X-2L4S تحقيق
AFT18P350-4S2LR6 NXP USA Inc. FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230 تحقيق
PTFA080551F V1 Image PTFA080551F V1 Infineon Technologies IC FET RF LDMOS 55W H-37265-2 تحقيق
AFT18HW355SR6 Image AFT18HW355SR6 NXP USA Inc. FET RF 2CH 65V 1.88GHZ NI1230S-4 تحقيق
AFT18HW355SR5 Image AFT18HW355SR5 NXP USA Inc. FET RF 2CH 65V 1.88GHZ NI1230S-4 تحقيق

Latest الأخبار