يشترى AFT18HW355SR6 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
AFT18HW355SR6
- رقم القطعة:
- AFT18HW355SR6
- وصف:
- FET RF 2CH 65V 1.88GHZ NI1230S-4
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17720 Pieces
- ورقة البيانات:
- AFT18HW355SR6.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل AFT18HW355SR6 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك AFT18HW355SR6 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 28V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 65V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS (Dual) |
| تجار الأجهزة حزمة: | NI-1230S |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 63W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | NI-1230S |
| اسماء اخرى: | 935320115128 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | AFT18HW355SR6 |
| ربح: | 15.2dB |
| تردد: | 1.88GHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 1.1A 1.88GHz 15.2dB 63W NI-1230S |
| وصف: | FET RF 2CH 65V 1.88GHZ NI1230S-4 |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 1.1A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAFT18HW355SR6
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXZH10N50L2A | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL TO-247 | تحقيق |
 |
AFT18H357-24SR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230-4 | تحقيق |
 |
AFT18HW355SR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 1.88GHZ NI1230S-4 | تحقيق |
|
AFT18S230-12NR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | تحقيق |
|
AFT18H356-24SR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 1.88GHZ NI1230-4 | تحقيق |
|
AFT18P350-4S2LR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230 | تحقيق |
 |
UF2820P | M/A-Com Technology Solutions | MOSFET 20W 28V 100-500MHZ | تحقيق |
|
AFT18S260W31SR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | تحقيق |
|
AFT18H357-24NR6 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | تحقيق |
 |
BLF8G10LS-160,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502B | تحقيق |
|
AFT18S230SR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.88GHZ NI780S-6 | تحقيق |
|
AFT18S260W31GSR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | تحقيق |
|
IXZH10N50L2B | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL TO-247 | تحقيق |
|
A2T18H100-25SR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 1.81GHZ | تحقيق |
 |
MRF8P20140WHSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780S-4 | تحقيق |
|
AFT18S290-13SR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.96GHZ NI-880X-2L4S | تحقيق |
|
AFT18S230SR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.88GHZ NI780S-6 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog