يشترى AFT20P140-4WGNR3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
AFT20P140-4WGNR3
- رقم القطعة:
- AFT20P140-4WGNR3
- وصف:
- FET RF 2CH 65V 1.91GHZ OM780-4GW
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12767 Pieces
- ورقة البيانات:
- AFT20P140-4WGNR3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل AFT20P140-4WGNR3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك AFT20P140-4WGNR3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 28V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 65V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS (Dual) |
| تجار الأجهزة حزمة: | OM-780G-4L |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 24W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | OM-780G-4L |
| اسماء اخرى: | 935320319528 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | AFT20P140-4WGNR3 |
| ربح: | 17.8dB |
| تردد: | 1.88GHz ~ 1.91GHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 500mA 1.88GHz ~ 1.91GHz 17.8dB 24W OM-780G-4L |
| وصف: | FET RF 2CH 65V 1.91GHZ OM780-4GW |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 500mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAFT20P140-4WGNR3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
ATF-50189-BLK | Broadcom Limited | FET RF 7V 2GHZ SOT-89 | تحقيق |
 |
AFT20P140-4WNR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 1.91GHZ OM780-4 | تحقيق |
|
AFT20P060-4NR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.17GHZ OM780-4 | تحقيق |
 |
MRF7S19080HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ NI-780S | تحقيق |
|
MMRF1304GNR1 | NXP USA Inc. | FET RF 133V 512MHZ TO270-2 | تحقيق |
 |
BLD6G22LS-50,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 14DB SOT1130B | تحقيق |
 |
MRF5S9100NBR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 880MHZ TO-272-4 | تحقيق |
|
AFT20P060-4GNR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.17GHZ OM780-4GW | تحقيق |
 |
LET9045C | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 80V 9A M-250 | تحقيق |
 |
MRF6VP41KHSR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 110V 450MHZ NI1230S | تحقيق |
 |
BLF6G27S-45,135 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT608B | تحقيق |
 |
PD85035STR-E | STMicroelectronics | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF | تحقيق |
 |
BLP05H6350XRY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12232 | تحقيق |
 |
AFT20S015NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ TO270-2 | تحقيق |
 |
AFT20S015GNR1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ TO270-2G | تحقيق |
|
MRF6S9160HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 880MHZ NI-780S | تحقيق |
 |
PTFA080551E V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 55W H-36265-2 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog