يشترى AFT20S015GNR1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
AFT20S015GNR1
- رقم القطعة:
- AFT20S015GNR1
- وصف:
- FET RF 65V 2.17GHZ TO270-2G
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17217 Pieces
- ورقة البيانات:
- AFT20S015GNR1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل AFT20S015GNR1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك AFT20S015GNR1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 28V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 65V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-270-2 GULL |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 1.5W |
| التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
| حزمة / كيس: | TO-270-2 Gull Wing |
| اسماء اخرى: | AFT20S015GNR1DKR |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | AFT20S015GNR1 |
| ربح: | 17.6dB |
| تردد: | 2.17GHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS 28V 132mA 2.17GHz 17.6dB 1.5W TO-270-2 GULL |
| وصف: | FET RF 65V 2.17GHZ TO270-2G |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 132mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAFT20S015GNR1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
MRF9210R3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 880MHZ 860C3 | تحقيق |
 |
AFT20S015NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ TO270-2 | تحقيق |
 |
PD85006-E | STMicroelectronics | FET RF 40V 870MHZ PWRSO-10RF | تحقيق |
 |
BLF8G10LS-270,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B | تحقيق |
|
MMRF1015GNR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 960MHZ | تحقيق |
|
AFT20P140-4WGNR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 1.91GHZ OM780-4GW | تحقيق |
 |
ARF461AG | Microsemi Corporation | RF MOSFET N-CH 1000V TO247 | تحقيق |
 |
AFT20P140-4WNR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 1.91GHZ OM780-4 | تحقيق |
 |
BLF8G09LS-400PWJ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242B | تحقيق |
 |
BLF7G20LS-250P,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT539B | تحقيق |
 |
PTF210451F V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 45W H-31265-2 | تحقيق |
 |
BLF6G10-135RN,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502A | تحقيق |
|
AFT20P060-4NR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.17GHZ OM780-4 | تحقيق |
 |
PTRA093302FCV1R0XTMA1 | Infineon Technologies | IC RF FET LDMOS 330W H-37248-4 | تحقيق |
 |
MRF6S19140HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 1.99GHZ NI-880 | تحقيق |
|
AFT20P060-4GNR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.17GHZ OM780-4GW | تحقيق |
 |
NE34018-A | CEL | FET RF 4V 2GHZ SOT-343 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog