يشترى AFT21H350W03SR6 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
AFT21H350W03SR6
- رقم القطعة:
- AFT21H350W03SR6
- وصف:
- FET RF 2CH 65V 2.11GHZ NI1230S
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17395 Pieces
- ورقة البيانات:
- AFT21H350W03SR6.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل AFT21H350W03SR6 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك AFT21H350W03SR6 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 28V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 65V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | NI-1230S |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 63W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | NI-1230S |
| اسماء اخرى: | 935315191128 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | AFT21H350W03SR6 |
| ربح: | 16.4dB |
| تردد: | 2.11GHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS 28V 750mA 2.11GHz 16.4dB 63W NI-1230S |
| وصف: | FET RF 2CH 65V 2.11GHZ NI1230S |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 750mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAFT21H350W03SR6
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
MRF18060ALR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.88GHZ NI-780 | تحقيق |
 |
AFT21S230SR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.11GHZ NI780S-6 | تحقيق |
|
AFT21H350W04GSR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.11GHZ | تحقيق |
 |
BLF861A,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT540A | تحقيق |
 |
MRF6P27160HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.66GHZ NI-1230 | تحقيق |
|
AFT21S230-12SR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.11GHZ NI780-2L2L | تحقيق |
|
AFT21S232SR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.11GHZ NI780S-2 | تحقيق |
|
AFT21S240-12SR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI780S-2 | تحقيق |
|
AFT21S220W02GSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.14GHZ NI-780S-2 | تحقيق |
|
AFT21S140W02SR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.14GHZ NI-780S-2 | تحقيق |
|
AFT21S230SR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.11GHZ NI780S-6 | تحقيق |
|
AFT21S140W02GSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.14GHZ NI-780S-2 | تحقيق |
|
AFT21S232SR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.11GHZ NI780S-2 | تحقيق |
|
AFT21S220W02SR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.14GHZ NI-780S | تحقيق |
 |
ATF-501P8-BLK | Broadcom Limited | FET RF 7V 2GHZ 8LPCC | تحقيق |
 |
ARF465BG | Microsemi Corporation | RF PWR MOSFET 1200V 6A TO-247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog