يشترى AFT21S140W02GSR3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
AFT21S140W02GSR3
- رقم القطعة:
- AFT21S140W02GSR3
- وصف:
- FET RF 65V 2.14GHZ NI-780S-2
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18798 Pieces
- ورقة البيانات:
- AFT21S140W02GSR3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل AFT21S140W02GSR3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك AFT21S140W02GSR3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 28V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 65V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | NI-780GS-2 |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 32W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | NI-780GS-2 |
| اسماء اخرى: | 935324832128 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | AFT21S140W02GSR3 |
| ربح: | 19.3dB |
| تردد: | 2.14GHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS 28V 800mA 2.14GHz 19.3dB 32W NI-780GS-2 |
| وصف: | FET RF 65V 2.14GHZ NI-780S-2 |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 800mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAFT21S140W02GSR3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
PD55025S-E | STMicroelectronics | FET RF 40V 500MHZ PWRSO10 | تحقيق |
 |
AFT21S140W02SR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.14GHZ NI-780S-2 | تحقيق |
|
AFT21S232SR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.11GHZ NI780S-2 | تحقيق |
|
MRF6V12250HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.03GHZ NI-780S | تحقيق |
 |
SD3933 | STMicroelectronics | IC TRANS RF PWR HF/VHF/UHF M177 | تحقيق |
|
AFT21S230SR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.11GHZ NI780S-6 | تحقيق |
|
AFT21H350W04GSR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.11GHZ | تحقيق |
|
AFT21S240-12SR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI780S-2 | تحقيق |
|
AFT21H350W03SR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.11GHZ NI1230S | تحقيق |
|
AFT21S220W02SR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.14GHZ NI-780S | تحقيق |
|
AFT21S230-12SR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.11GHZ NI780-2L2L | تحقيق |
|
AFT21S232SR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.11GHZ NI780S-2 | تحقيق |
 |
CLF1G0035-100,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET HEMT 150V 12DB SOT467C | تحقيق |
|
AFT21S230SR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.11GHZ NI780S-6 | تحقيق |
|
AFT21S220W02GSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.14GHZ NI-780S-2 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog