يشترى AFT27S006NT1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
AFT27S006NT1
- رقم القطعة:
- AFT27S006NT1
- وصف:
- FET RF 65V 2.17GHZ PLD1.5W
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18379 Pieces
- ورقة البيانات:
- AFT27S006NT1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل AFT27S006NT1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك AFT27S006NT1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 28V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 65V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | PLD-1.5W-2 |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 28.8dBm |
| التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
| حزمة / كيس: | PLD-1.5W-2 |
| اسماء اخرى: | AFT27S006NT1DKR |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | AFT27S006NT1 |
| ربح: | 22dB |
| تردد: | 2.17GHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS 28V 70mA 2.17GHz 22dB 28.8dBm PLD-1.5W-2 |
| وصف: | FET RF 65V 2.17GHZ PLD1.5W |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 70mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAFT27S006NT1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
AFT27S010NT1 | NXP USA Inc. | FET RF NCH 65V 2700MHZ PLD1.5W | تحقيق |
 |
BSS83,215 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 10V 50MA SOT-143B | تحقيق |
 |
MRF5S9070NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 880MHZ TO-270-2 | تحقيق |
 |
BLF8G24LS-100VJ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244B | تحقيق |
 |
MRF6S24140HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.39GHZ NI-880 | تحقيق |
 |
BLF188XRGJ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 135V 24DB SOT1248C | تحقيق |
 |
BLF6G20-230PRN,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT539A | تحقيق |
 |
BF1215,115 | NXP USA Inc. | FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP | تحقيق |
 |
BLF7G21L-160P,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121A | تحقيق |
 |
PXAC260622SCV1R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | تحقيق |
|
AFT21S140W02SR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.14GHZ NI-780S-2 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog