العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - صفائف > ALD110904PAL
ALD110904PAL
ALD110904PAL
رقم القطعة:
ALD110904PAL
الصانع:
Advanced Linear Devices, Inc.
وصف:
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
19927 Pieces
ورقة البيانات:
ALD110904PAL.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل ALD110904PAL ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك ALD110904PAL عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى ALD110904PAL مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:420mV @ 1µA
تجار الأجهزة حزمة:8-PDIP
سلسلة:EPAD®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:500 Ohm @ 4.4V
السلطة - ماكس:500mW
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:8-DIP (0.300", 7.62mm)
اسماء اخرى:1014-1036
درجة حرارة التشغيل:0°C ~ 70°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:10 Weeks
الصانع الجزء رقم:ALD110904PAL
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:2.5pF @ 5V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:-
نوع FET:2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET الميزة:Standard
وصف موسع:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 12mA, 3mA 500mW Through Hole 8-PDIP
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):10.6V
وصف:MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:12mA, 3mA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لALD110904PAL

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
ALD110900SAL Advanced Linear Devices Inc. MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC تحقيق
ALD110902PAL Image ALD110902PAL Advanced Linear Devices Inc. MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP تحقيق
ALD110902SAL Advanced Linear Devices Inc. MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC تحقيق
ALD110904SAL Advanced Linear Devices Inc. MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC تحقيق
ALD110900PAL Image ALD110900PAL Advanced Linear Devices Inc. MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP تحقيق
ALD110900APAL Image ALD110900APAL Advanced Linear Devices Inc. MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP تحقيق
ALD110914PAL Image ALD110914PAL Advanced Linear Devices Inc. MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP تحقيق
ALD110908ASAL Advanced Linear Devices Inc. MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC تحقيق
ALD110900ASAL Advanced Linear Devices Inc. MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC تحقيق
ALD110908APAL Image ALD110908APAL Advanced Linear Devices Inc. MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP تحقيق
ALD110908SAL Advanced Linear Devices Inc. MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC تحقيق
ALD110908PAL Image ALD110908PAL Advanced Linear Devices Inc. MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP تحقيق

Latest الأخبار