العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - صفائف > ALD110908PAL
ALD110908PAL
ALD110908PAL
رقم القطعة:
ALD110908PAL
الصانع:
Advanced Linear Devices, Inc.
وصف:
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
17106 Pieces
ورقة البيانات:
ALD110908PAL.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل ALD110908PAL ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك ALD110908PAL عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى ALD110908PAL مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:820mV @ 1µA
تجار الأجهزة حزمة:8-PDIP
سلسلة:EPAD®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:500 Ohm @ 4.8V
السلطة - ماكس:500mW
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:8-DIP (0.300", 7.62mm)
اسماء اخرى:1014-1040
درجة حرارة التشغيل:0°C ~ 70°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:10 Weeks
الصانع الجزء رقم:ALD110908PAL
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:2.5pF @ 5V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:-
نوع FET:2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET الميزة:Standard
وصف موسع:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 12mA, 3mA 500mW Through Hole 8-PDIP
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):10.6V
وصف:MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:12mA, 3mA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لALD110908PAL

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
ALD110914PAL Image ALD110914PAL Advanced Linear Devices Inc. MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP تحقيق
ALD110902SAL Advanced Linear Devices Inc. MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC تحقيق
ALD110908SAL Advanced Linear Devices Inc. MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC تحقيق
ALD110900ASAL Advanced Linear Devices Inc. MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC تحقيق
ALD110908ASAL Advanced Linear Devices Inc. MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC تحقيق
ALD110908APAL Image ALD110908APAL Advanced Linear Devices Inc. MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP تحقيق
ALD110900SAL Advanced Linear Devices Inc. MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC تحقيق
ALD110900PAL Image ALD110900PAL Advanced Linear Devices Inc. MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP تحقيق
ALD110900APAL Image ALD110900APAL Advanced Linear Devices Inc. MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP تحقيق
ALD110904SAL Advanced Linear Devices Inc. MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC تحقيق
ALD110902PAL Image ALD110902PAL Advanced Linear Devices Inc. MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP تحقيق
ALD110904PAL Image ALD110904PAL Advanced Linear Devices Inc. MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP تحقيق

Latest الأخبار