يشترى AON3611 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
AON3611
- رقم القطعة:
- AON3611
- وصف:
- MOSFET N/P-CH 30V 5A/6A 8DFN
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18638 Pieces
- ورقة البيانات:
- 1.AON3611.pdf2.AON3611.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل AON3611 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك AON3611 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-DFN (2.9x2.3) |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 50 mOhm @ 5A, 10V |
| السلطة - ماكس: | 2.1W, 2.5W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-SMD, Flat Lead |
| اسماء اخرى: | AON3611-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 16 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | AON3611 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 170pF @ 15V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 10nC @ 10V |
| نوع FET: | N and P-Channel, Common Drain |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| وصف موسع: | Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 30V 5A, 6A 2.1W, 2.5W Surface Mount 8-DFN (2.9x2.3) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET N/P-CH 30V 5A/6A 8DFN |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 5A, 6A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAON3611
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
AON3613 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8DFN | تحقيق |
 |
DMN5L06DWK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT-363 | تحقيق |
 |
NTMD5838NLR2G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 40V 7.4A 8SOIC | تحقيق |
 |
SSM6N48FU,RF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 30V 0.1A 2-2J1C | تحقيق |
 |
APTC60AM45BC1G | Microsemi Corporation | MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1 | تحقيق |
 |
SP8M3FU6TB | Rohm Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOIC | تحقيق |
 |
IPG20N04S4L08ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | تحقيق |
 |
IRF7750 | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8-TSSOP | تحقيق |
 |
APTC90DDA12T1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1 | تحقيق |
|
APTM10DSKM09T3G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog