يشترى APT11GF120BRDQ1G مع BYCHPS
شراء مع ضمان
APT11GF120BRDQ1G
- رقم القطعة:
- APT11GF120BRDQ1G
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- IGBT 1200V 25A 156W TO247
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18496 Pieces
- ورقة البيانات:
- APT11GF120BRDQ1G.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل APT11GF120BRDQ1G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك APT11GF120BRDQ1G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 1200V |
|---|---|
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 3V @ 15V, 8A |
| اختبار حالة: | 800V, 8A, 10 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 7ns/100ns |
| تحويل الطاقة: | 300µJ (on), 285µJ (off) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247 [B] |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | 156W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | APT11GF120BRDQ1G |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | NPT |
| بوابة المسؤول: | 65nC |
| وصف موسع: | IGBT NPT 1200V 25A 156W Through Hole TO-247 [B] |
| وصف: | IGBT 1200V 25A 156W TO247 |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 24A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 25A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPT11GF120BRDQ1G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APT11F80B | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 12A TO-247 | تحقيق |
 |
IXSK40N60BD1 | IXYS | IGBT 600V 75A 280W TO264 | تحقيق |
 |
APT11GF120KRG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 25A 156W TO220 | تحقيق |
 |
FGA5065ADF | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 650V 100A TO-3PN | تحقيق |
 |
IKW20N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 600V 40A 170W TO247-3 | تحقيق |
|
APT11N80KC3G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 11A TO-220 | تحقيق |
 |
NGD15N41CLT4G | Littelfuse Inc. | IGBT 440V 15A 107W DPAK | تحقيق |
 |
APT11F80S | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK | تحقيق |
 |
FGH40T65SHD_F155 | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 650V 80A 268W TO-247 | تحقيق |
|
APT50GT120B2RDQ2G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 94A 625W TO247 | تحقيق |
 |
IXA20RG1200DHGLB | IXYS | IGBT 1200V 32A 125W SMPD | تحقيق |
|
APT11N80BC3G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 | تحقيق |
 |
IXGT40N120B2D1 | IXYS | IGBT 1200V 75A 380W TO268 | تحقيق |
|
FGA6540WDF | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 650V 80A 238W TO-3PN | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog