العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - إغبتس - واحدة > APT11GF120KRG
APT11GF120KRG
رقم القطعة:
APT11GF120KRG
الصانع:
Microsemi
وصف:
IGBT 1200V 25A 156W TO220
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
18425 Pieces
ورقة البيانات:
1.APT11GF120KRG.pdf2.APT11GF120KRG.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل APT11GF120KRG ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك APT11GF120KRG عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى APT11GF120KRG مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):1200V
VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم:3V @ 15V, 8A
اختبار حالة:800V, 8A, 10 Ohm, 15V
تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C:7ns/100ns
تحويل الطاقة:300µJ (on), 285µJ (off)
تجار الأجهزة حزمة:TO-220 [K]
سلسلة:-
السلطة - ماكس:156W
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-220-3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:APT11GF120KRG
نوع المدخلات:Standard
نوع IGBT:NPT
بوابة المسؤول:65nC
وصف موسع:IGBT NPT 1200V 25A 156W Through Hole TO-220 [K]
وصف:IGBT 1200V 25A 156W TO220
الحالي - جامع نابض (آي سي إم):44A
الحالي - جامع (IC) (ماكس):25A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لAPT11GF120KRG

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IKZ50N65EH5XKSA1 Image IKZ50N65EH5XKSA1 Infineon Technologies IGBT 650V 50A CO-PACK TO-247-4 تحقيق
APT11F80B Image APT11F80B Microsemi Corporation MOSFET N-CH 800V 12A TO-247 تحقيق
APT11N80KC3G Microsemi Corporation MOSFET N-CH 800V 11A TO-220 تحقيق
SGH20N60RUFDTU Image SGH20N60RUFDTU Fairchild/ON Semiconductor IGBT 600V 32A 195W TO3P تحقيق
HGTD3N60C3S9A Image HGTD3N60C3S9A Fairchild/ON Semiconductor IGBT 600V 6A 33W TO252AA تحقيق
APT40GP60SG Image APT40GP60SG Microsemi Corporation IGBT 600V 100A 543W D3PAK تحقيق
IXGH17N100U1 Image IXGH17N100U1 IXYS IGBT 1000V 34A 150W TO247AD تحقيق
IXGR24N60C Image IXGR24N60C IXYS IGBT 600V 42A 80W ISOPLUS247 تحقيق
APT11GF120BRDQ1G Image APT11GF120BRDQ1G Microsemi Corporation IGBT 1200V 25A 156W TO247 تحقيق
IXBF32N300 Image IXBF32N300 IXYS IGBT 3000V 40A 160W ISOPLUSI4 تحقيق
IXGP10N60A Image IXGP10N60A IXYS IGBT 600V 20A 100W TO220AB تحقيق
APT11F80S Image APT11F80S Microsemi Corporation MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK تحقيق
IKD10N60R Image IKD10N60R Infineon Technologies IGBT 600V 20A 150W TO252-3 تحقيق
TIG058E8-TL-H Image TIG058E8-TL-H ON Semiconductor IGBT 400V ECH8 تحقيق
APT11N80BC3G Image APT11N80BC3G Microsemi Corporation MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 تحقيق

Latest الأخبار