يشترى APT13GP120BG مع BYCHPS
شراء مع ضمان
APT13GP120BG
- رقم القطعة:
- APT13GP120BG
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- IGBT 1200V 41A 250W TO247
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15746 Pieces
- ورقة البيانات:
- APT13GP120BG.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل APT13GP120BG ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك APT13GP120BG عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 1200V |
|---|---|
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 3.9V @ 15V, 13A |
| اختبار حالة: | 600V, 13A, 5 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 9ns/28ns |
| تحويل الطاقة: | 115µJ (on), 165µJ (off) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247 [B] |
| سلسلة: | POWER MOS 7® |
| السلطة - ماكس: | 250W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 22 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | APT13GP120BG |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | PT |
| بوابة المسؤول: | 55nC |
| وصف موسع: | IGBT PT 1200V 41A 250W Through Hole TO-247 [B] |
| وصف: | IGBT 1200V 41A 250W TO247 |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 50A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 41A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPT13GP120BG
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APT13GP120KG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 41A 250W TO220 | تحقيق |
 |
STGWA60H65DFB | STMicroelectronics | IGBT BIPO 650V 60A TO247-3 | تحقيق |
 |
APT13GP120BDQ1G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 41A 250W TO247 | تحقيق |
 |
IRGIB7B60KDPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 12A 39W TO220FP | تحقيق |
 |
IGB03N120H2ATMA1 | Infineon Technologies | IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO263-3 | تحقيق |
 |
FGAF40N60UFTU | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 40A 100W TO3PF | تحقيق |
 |
FGH75T65SHDT_F155 | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 650V 150A 455W TO-247 | تحقيق |
 |
STGP10NB60SD | STMicroelectronics | IGBT 600V 29A 80W TO220 | تحقيق |
 |
IRG4PSC71KDPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 85A 350W SUPER247 | تحقيق |
 |
IXGH60N60B2 | IXYS | IGBT 600V 75A 500W TO247 | تحقيق |
|
APT13F120B | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 14A TO247 | تحقيق |
 |
IRG7PH50K10DPBF | Infineon Technologies | IGBT 1200V 90A 400W TO247AC | تحقيق |
 |
FGP20N6S2D | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 28A 125W TO220AB | تحقيق |
 |
APT13F120S | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 14A D3PAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog