يشترى APT13GP120KG مع BYCHPS
شراء مع ضمان
APT13GP120KG
- رقم القطعة:
- APT13GP120KG
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- IGBT 1200V 41A 250W TO220
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18858 Pieces
- ورقة البيانات:
- APT13GP120KG.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل APT13GP120KG ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك APT13GP120KG عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 1200V |
|---|---|
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 3.9V @ 15V, 13A |
| اختبار حالة: | 600V, 13A, 5 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 9ns/28ns |
| تحويل الطاقة: | 114µJ (on), 165µJ (off) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220 [K] |
| سلسلة: | POWER MOS 7® |
| السلطة - ماكس: | 250W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | APT13GP120KG |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | PT |
| بوابة المسؤول: | 55nC |
| وصف موسع: | IGBT PT 1200V 41A 250W Through Hole TO-220 [K] |
| وصف: | IGBT 1200V 41A 250W TO220 |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 50A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 41A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPT13GP120KG
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRG4BAC50W-S | Infineon Technologies | IGBT 600V 55A 200W SUPER 220 | تحقيق |
 |
APT13F120S | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 14A D3PAK | تحقيق |
 |
STGW25H120F2 | STMicroelectronics | IGBT H-SERIES 1200V 25A TO-247 | تحقيق |
 |
IXDT30N120 | IXYS | IGBT 1200V 60A 300W TO268AA | تحقيق |
 |
STGP18N40LZ | STMicroelectronics | IGBT 420V 30A 150W TO220 | تحقيق |
 |
APT13GP120BDQ1G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 41A 250W TO247 | تحقيق |
 |
IKA15N65F5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 650V 14A 33.3W PG-TO220-3FP | تحقيق |
|
APT13GP120BG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 41A 250W TO247 | تحقيق |
 |
IGB10N60TATMA1 | Infineon Technologies | IGBT 600V 20A 110W TO263-3 | تحقيق |
|
STGB3NB60FDT4 | STMicroelectronics | IGBT 600V 6A 68W D2PAK | تحقيق |
 |
GN2470K4-G | Microchip Technology | IC IGBT 700V 3.5A 3DPAK | تحقيق |
 |
IXGH36N60A3D4 | IXYS | IGBT 600V 220W TO247 | تحقيق |
 |
NGTB15N60R2FG | ON Semiconductor | IGBT 15A 600V TO220-3 | تحقيق |
|
APT13F120B | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 14A TO247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog