يشترى APT200GN60B2G مع BYCHPS
شراء مع ضمان
APT200GN60B2G
- رقم القطعة:
- APT200GN60B2G
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- IGBT 600V 283A 682W TO247
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19433 Pieces
- ورقة البيانات:
- 1.APT200GN60B2G.pdf2.APT200GN60B2G.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل APT200GN60B2G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك APT200GN60B2G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 600V |
|---|---|
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 1.85V @ 15V, 200A |
| اختبار حالة: | 400V, 200A, 1 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 50ns/560ns |
| تحويل الطاقة: | 13mJ (on), 11mJ (off) |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | 682W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| اسماء اخرى: | APT200GN60B2GMI APT200GN60B2GMI-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 22 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | APT200GN60B2G |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | Trench Field Stop |
| بوابة المسؤول: | 1180nC |
| وصف موسع: | IGBT Trench Field Stop 600V 283A 682W Through Hole |
| وصف: | IGBT 600V 283A 682W TO247 |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 600A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 283A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPT200GN60B2G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APT20M22JVRU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 97A SOT-227 | تحقيق |
|
APT20M11JVR | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227 | تحقيق |
 |
APT200GN60JDQ4 | Microsemi Corporation | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | تحقيق |
|
APT200GN60JG | Microsemi Corporation | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | تحقيق |
 |
APT20M38BVFRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 67A TO-247 | تحقيق |
 |
APT20M38SVRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK | تحقيق |
|
APT200GN60J | Microsemi Corporation | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | تحقيق |
|
APT20M38SVFRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK | تحقيق |
|
APT20F50B | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 20A TO-247 | تحقيق |
 |
APT20M22B2VFRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX | تحقيق |
|
APT200GN60JDQ4G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | تحقيق |
|
APT200GT60JR | Microsemi Corporation | IGBT 600V 195A ISOTOP | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog