يشترى APT20M38BVFRG مع BYCHPS
شراء مع ضمان
APT20M38BVFRG
- رقم القطعة:
- APT20M38BVFRG
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- MOSFET N-CH 200V 67A TO-247
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12323 Pieces
- ورقة البيانات:
- 1.APT20M38BVFRG.pdf2.APT20M38BVFRG.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل APT20M38BVFRG ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك APT20M38BVFRG عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 1mA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247 [B] |
| سلسلة: | POWER MOS V® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 38 mOhm @ 500mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 370W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | APT20M38BVFRG |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 6120pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 225nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 200V 67A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-247 [B] |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 200V |
| وصف: | MOSFET N-CH 200V 67A TO-247 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 67A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPT20M38BVFRG
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APT20GN60BDQ1G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 40A 136W TO247 | تحقيق |
 |
APT20M38SVRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK | تحقيق |
|
APT20GF120BRG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 32A 200W TO247 | تحقيق |
|
APT20M38SVFRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK | تحقيق |
 |
APT20M11JVR | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227 | تحقيق |
 |
APT20M22B2VFRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX | تحقيق |
 |
APT20M38SVRG/TR | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK | تحقيق |
 |
APT20SCD120B | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 68A | تحقيق |
|
APT20M38BVRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 67A TO-247 | تحقيق |
|
APT200GN60B2G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 283A 682W TO247 | تحقيق |
|
APT20F50B | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 20A TO-247 | تحقيق |
|
APT20M22JVRU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 97A SOT-227 | تحقيق |
 |
APT200GN60JG | Microsemi Corporation | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog