يشترى APT33N90JCCU2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
APT33N90JCCU2
- رقم القطعة:
- APT33N90JCCU2
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19341 Pieces
- ورقة البيانات:
- APT33N90JCCU2.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل APT33N90JCCU2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك APT33N90JCCU2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3.5V @ 3mA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-227 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 120 mOhm @ 26A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 290W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | SOT-227-4, miniBLOC |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 22 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | APT33N90JCCU2 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 6800pF @ 100V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 270nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | Super Junction |
| وصف موسع: | N-Channel 900V 33A 290W (Tc) Chassis Mount SOT-227 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 900V |
| وصف: | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 33A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPT33N90JCCU2
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFK64N60Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 64A TO-264 | تحقيق |
 |
APT33N90JCCU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | تحقيق |
 |
APT33GF120LRDQ2G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 64A 357W TO264 | تحقيق |
 |
APT33GF120BRG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 52A 297W TO247 | تحقيق |
|
APT33N90JCU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | تحقيق |
|
APT33N90JCU2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | تحقيق |
 |
AUIRF1010EZS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK | تحقيق |
 |
IRF3709ZPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 87A TO-220AB | تحقيق |
 |
IPP50R299CPHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 550V TO220-3 | تحقيق |
 |
DMN67D8L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23 | تحقيق |
 |
IRFR210 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK | تحقيق |
 |
ZVP2106GTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 60V 450MA SOT223 | تحقيق |
 |
STV160NF02LT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10 | تحقيق |
 |
APT33GF120B2RDQ2G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 64A 357W TMAX | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog