يشترى STV160NF02LT4 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
STV160NF02LT4
- رقم القطعة:
- STV160NF02LT4
- الصانع:
- ST
- وصف:
- MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17662 Pieces
- ورقة البيانات:
- STV160NF02LT4.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل STV160NF02LT4 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك STV160NF02LT4 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 10-PowerSO |
| سلسلة: | STripFET™ II |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 2.5 mOhm @ 80A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 210W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad |
| اسماء اخرى: | 497-3251-2 |
| درجة حرارة التشغيل: | 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | STV160NF02LT4 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 4800pF @ 15V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 160nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 20V 160A (Tc) 210W (Tc) Surface Mount 10-PowerSO |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف: | MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 160A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSTV160NF02LT4
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
AON7458 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 250V 1.5A 8DFN | تحقيق |
 |
STV160NF03LT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 160A POWERSO-10 | تحقيق |
 |
IRFR9210TRR | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK | تحقيق |
 |
FDS6670AS | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 13.5A 8SOIC | تحقيق |
|
STV160NF02LAT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10 | تحقيق |
 |
IXFN26N90 | IXYS | MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B | تحقيق |
|
STV160NF03LAT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 160A POWERSO-10 | تحقيق |
 |
IRL530NSPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK | تحقيق |
|
IRL8113STRR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK | تحقيق |
 |
IXFK100N25 | IXYS | MOSFET N-CH 250V 100A TO-264AA | تحقيق |
 |
IRFU9024N | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 11A I-PAK | تحقيق |
 |
FQI15P12TU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 120V 15A I2PAK | تحقيق |
 |
CSD17578Q5AT | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog