العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - إغبتس - واحدة > APT45GR65B
APT45GR65B
APT45GR65B
رقم القطعة:
APT45GR65B
الصانع:
Microsemi
وصف:
IGBT 650V 92A 357W TO-247
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
14593 Pieces
ورقة البيانات:
APT45GR65B.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل APT45GR65B ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك APT45GR65B عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى APT45GR65B مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):650V
VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم:2.4V @ 15V, 45A
اختبار حالة:433V, 45A, 4.3 Ohm, 15V
تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C:15ns/100ns
تحويل الطاقة:900µJ (on), 580µJ (off)
تجار الأجهزة حزمة:TO-247
سلسلة:-
السلطة - ماكس:357W
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-247-3
درجة حرارة التشغيل:-
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:22 Weeks
الصانع الجزء رقم:APT45GR65B
نوع المدخلات:Standard
نوع IGBT:NPT
بوابة المسؤول:203nC
وصف موسع:IGBT NPT 650V 92A 357W Through Hole TO-247
وصف:IGBT 650V 92A 357W TO-247
الحالي - جامع نابض (آي سي إم):168A
الحالي - جامع (IC) (ماكس):92A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لAPT45GR65B

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
APT45GP120B2DQ2G Image APT45GP120B2DQ2G Microsemi Corporation IGBT 1200V 113A 625W TMAX تحقيق
IXBH40N160 Image IXBH40N160 IXYS IGBT 1600V 33A 350W TO247AD تحقيق
APT45GP120J Image APT45GP120J Microsemi Corporation IGBT 1200V 75A 329W SOT227 تحقيق
APT45GP120BG Image APT45GP120BG Microsemi Corporation IGBT 1200V 100A 625W TO247 تحقيق
APT45GR65B2DU30 Microsemi Corporation INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO تحقيق
APT45GR65SSCD10 Microsemi Corporation INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO تحقيق
APT45GR65BSCD10 Microsemi Corporation INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO تحقيق
IXEH25N120D1 Image IXEH25N120D1 IXYS IGBT 1200V 36A 200W TO247AD تحقيق
IRGB4056DPBF Image IRGB4056DPBF Infineon Technologies IGBT 600V 24A 140W TO220AB تحقيق
APT35GN120BG Image APT35GN120BG Microsemi Corporation IGBT 1200V 94A 379W TO247 تحقيق
IRG4BC30FDPBF Image IRG4BC30FDPBF Infineon Technologies IGBT 600V 31A 100W TO220AB تحقيق
IRGS4056DPBF Image IRGS4056DPBF Infineon Technologies IGBT 600V 24A 140W D2PAK تحقيق
APT45M100J Image APT45M100J Microsemi Corporation MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227 تحقيق
APT45GP120JDQ2 Image APT45GP120JDQ2 Microsemi Corporation IGBT 1200V 75A 329W SOT227 تحقيق

Latest الأخبار