يشترى APT45GR65SSCD10 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
APT45GR65SSCD10
- رقم القطعة:
- APT45GR65SSCD10
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15691 Pieces
- ورقة البيانات:
- APT45GR65SSCD10.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل APT45GR65SSCD10 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك APT45GR65SSCD10 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 650V |
|---|---|
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 2.4V @ 15V, 45A |
| اختبار حالة: | 433V, 45A, 4.3 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 15ns/100ns |
| تجار الأجهزة حزمة: | D3Pak |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 80ns |
| السلطة - ماكس: | 543W |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 22 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | APT45GR65SSCD10 |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | NPT |
| بوابة المسؤول: | 203nC |
| وصف موسع: | IGBT NPT 650V 118A 543W Surface Mount D3Pak |
| وصف: | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 224A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 118A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPT45GR65SSCD10
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
STGWT60H65DFB | STMicroelectronics | IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L | تحقيق |
 |
APT45GP120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 75A 329W SOT227 | تحقيق |
 |
APT45GP120B2DQ2G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 113A 625W TMAX | تحقيق |
 |
APT45GP120BG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 100A 625W TO247 | تحقيق |
 |
APT45GR65BSCD10 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | تحقيق |
|
APT45GR65B2DU30 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | تحقيق |
 |
IXST30N60B | IXYS | IGBT 600V 55A 200W TO268 | تحقيق |
|
STGW60V60DLF | STMicroelectronics | IGBT BIPO 600V 60A TO247 | تحقيق |
 |
IRG8CH15K10D | Infineon Technologies | IGBT 1200V ULTRA FAST DIE | تحقيق |
|
APT45GR65B | Microsemi Corporation | IGBT 650V 92A 357W TO-247 | تحقيق |
 |
APT45M100J | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227 | تحقيق |
 |
STGF30V60DF | STMicroelectronics | IGBT BIPO 600V 30A TO-220 | تحقيق |
|
APT45GP120JDQ2 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 75A 329W SOT227 | تحقيق |
|
STGWT40H65DFB | STMicroelectronics | IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog