العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - إغبتس - واحدة > APT85GR120B2
APT85GR120B2
APT85GR120B2
رقم القطعة:
APT85GR120B2
الصانع:
Microsemi
وصف:
IGBT 1200V 170A 962W TO247
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
12616 Pieces
ورقة البيانات:
APT85GR120B2.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل APT85GR120B2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك APT85GR120B2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى APT85GR120B2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):1200V
VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم:3.2V @ 15V, 85A
اختبار حالة:600V, 85A, 4.3 Ohm, 15V
تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C:43ns/300ns
تحويل الطاقة:6mJ (on), 3.8mJ (off)
تجار الأجهزة حزمة:T-MAX™
سلسلة:-
السلطة - ماكس:962W
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-247-3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:22 Weeks
الصانع الجزء رقم:APT85GR120B2
نوع المدخلات:Standard
نوع IGBT:NPT
بوابة المسؤول:660nC
وصف موسع:IGBT NPT 1200V 170A 962W Through Hole T-MAX™
وصف:IGBT 1200V 170A 962W TO247
الحالي - جامع نابض (آي سي إم):340A
الحالي - جامع (IC) (ماكس):170A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لAPT85GR120B2

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
APT85GR120J Image APT85GR120J Microsemi Corporation IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP تحقيق
IXSX50N60BD1 Image IXSX50N60BD1 IXYS IGBT 600V 75A 300W PLUS247 تحقيق
IXGH32N60BU1 Image IXGH32N60BU1 IXYS IGBT 600V 60A 200W TO247AD تحقيق
FGPF70N30TDTU Image FGPF70N30TDTU Fairchild/ON Semiconductor IGBT 300V 49.2W TO220F تحقيق
APT85GR120L Image APT85GR120L Microsemi Corporation IGBT 1200V 170A 962W TO264 تحقيق
IKW40T120 Image IKW40T120 Infineon Technologies IGBT 1200V 75A 270W TO247-3 تحقيق
STGW15S120DF3 Image STGW15S120DF3 STMicroelectronics IGBT 1200V 15A TO247 تحقيق
IRG8B08N120KDPBF Image IRG8B08N120KDPBF Infineon Technologies DIODE 1200V 8A TO-220 تحقيق
AUIRG4PC40S-E Image AUIRG4PC40S-E Infineon Technologies IGBT 600V 60A 160W TO247 تحقيق
APT85GR120JD60 Image APT85GR120JD60 Microsemi Corporation IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP تحقيق
IXGA16N60C2 Image IXGA16N60C2 IXYS IGBT 600V 40A 150W TO263 تحقيق

Latest الأخبار