يشترى BF999E6433HTMA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BF999E6433HTMA1
- رقم القطعة:
- BF999E6433HTMA1
- وصف:
- MOSFET N-CH 20V 30MA SOT-23
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17600 Pieces
- ورقة البيانات:
- BF999E6433HTMA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BF999E6433HTMA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BF999E6433HTMA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 10V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 20V |
| نوع الترانزستور: | N-Channel |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-SOT23-3 |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| اسماء اخرى: | BF 999 E6433 BF 999 E6433-ND SP000426300 |
| الضوضاء الشكل: | 2.1dB |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | BF999E6433HTMA1 |
| ربح: | 27dB |
| تردد: | 45MHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet N-Channel 10V 10mA 45MHz 27dB PG-SOT23-3 |
| وصف: | MOSFET N-CH 20V 30MA SOT-23 |
| التصويت الحالي: | 30mA |
| الحالي - اختبار: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBF999E6433HTMA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BF245C_D75Z | Fairchild/ON Semiconductor | JFET N-CH 30V 25MA TO92 | تحقيق |
 |
BLM8G0710S-45ABY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12112 | تحقيق |
 |
MRFG35002N6AT1 | NXP USA Inc. | FET RF 8V 3.55GHZ PLD-1.5 | تحقيق |
 |
BLF872,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V SOT800 | تحقيق |
 |
MMRF1304LR5 | NXP USA Inc. | FET RF 133V 512MHZ NI-360 | تحقيق |
 |
ON5450,518 | NXP USA Inc. | MOSFET RF 64QFP | تحقيق |
 |
BLF6G20-110,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502A | تحقيق |
|
MRF6S19140HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 1.99GHZ NI-880S | تحقيق |
 |
PTFB192557SHV1XWSA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS H-34288G-4/2 | تحقيق |
|
BF999E6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH RF 20V 30MA SOT-23 | تحقيق |
|
MRF6S24140HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.39GHZ NI-880S | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog