يشترى ON5450,518 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
ON5450,518
- رقم القطعة:
- ON5450,518
- وصف:
- MOSFET RF 64QFP
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17494 Pieces
- ورقة البيانات:
- ON5450,518.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل ON5450,518 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك ON5450,518 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | - |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | - |
| نوع الترانزستور: | - |
| تجار الأجهزة حزمة: | - |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | - |
| اسماء اخرى: | 935288032518 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع الجزء رقم: | ON5450,518 |
| ربح: | - |
| تردد: | - |
| وصف موسع: | RF Mosfet |
| وصف: | MOSFET RF 64QFP |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لON5450,518
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BLS6G3135S-20,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 60V 15.5DB SOT608B | تحقيق |
 |
BLM8G0710S-45ABY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12112 | تحقيق |
 |
BLF6G10L-260PRN:11 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 22DB SOT539A | تحقيق |
 |
ON5453,518 | NXP USA Inc. | MOSFET RF 20SOIC | تحقيق |
 |
BLF872,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V SOT800 | تحقيق |
 |
BF245C_D75Z | Fairchild/ON Semiconductor | JFET N-CH 30V 25MA TO92 | تحقيق |
 |
VRF154FLMP | Microsemi Corporation | RF MOSFET N-CHANNEL 50V 4SMD | تحقيق |
 |
PTFA192401EV4XWSA1 | Infineon Technologies | FET RF 65V 1.96GHZ H-36260-2 | تحقيق |
|
ON5452,518 | NXP USA Inc. | MOSFET RF 20SOIC | تحقيق |
|
MRF6S19140HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 1.99GHZ NI-880S | تحقيق |
|
ON5451,518 | NXP USA Inc. | MOSFET RF 20SOIC | تحقيق |
|
MRF8S26060HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.69GHZ | تحقيق |
 |
PXAC201202FCV2XWSA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | تحقيق |
|
PTFB192557SHV1XWSA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS H-34288G-4/2 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog