يشترى BG3123RE6327HTSA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BG3123RE6327HTSA1
- رقم القطعة:
- BG3123RE6327HTSA1
- وصف:
- MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18746 Pieces
- ورقة البيانات:
- BG3123RE6327HTSA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BG3123RE6327HTSA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BG3123RE6327HTSA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 5V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 8V |
| نوع الترانزستور: | 2 N-Channel (Dual) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-SOT363-6 |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| اسماء اخرى: | BG 3123R E6327 BG 3123R E6327-ND BG3123RE6327XT SP000015126 |
| الضوضاء الشكل: | 1.8dB |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | BG3123RE6327HTSA1 |
| ربح: | 25dB |
| تردد: | 800MHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) 5V 14mA 800MHz 25dB PG-SOT363-6 |
| وصف: | MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363 |
| التصويت الحالي: | 25mA, 20mA |
| الحالي - اختبار: | 14mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBG3123RE6327HTSA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
MRF148A | M/A-Com Technology Solutions | FET RF 120V 175MHZ 211-07 | تحقيق |
 |
BG3123H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363 | تحقيق |
 |
MRF8VP13350NR3 | NXP USA Inc. | TRANS RF LDMOS 350W 50V | تحقيق |
 |
CGHV27100F | Cree/Wolfspeed | FET RF 50V 2.7GHZ 440162 | تحقيق |
|
BG3123E6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363 | تحقيق |
 |
PTFA261301F V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 130W H-31260-2 | تحقيق |
|
BG3123RH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363 | تحقيق |
 |
ARF463BG | Microsemi Corporation | RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247 | تحقيق |
 |
MRF9045NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 945MHZ TO270-2 | تحقيق |
 |
VRF151MP | Microsemi Corporation | RF MOSFET N-CHANNEL 50V M174 | تحقيق |
 |
BLA1011S-200,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 75V 13DB SOT502B | تحقيق |
 |
PTVA047002EVV1R0XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | تحقيق |
 |
MRFG35003N6AT1 | NXP USA Inc. | FET RF 8V 3.55GHZ PLD-1.5 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog