يشترى BG3130RH6327XTSA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BG3130RH6327XTSA1
- رقم القطعة:
- BG3130RH6327XTSA1
- وصف:
- MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15650 Pieces
- ورقة البيانات:
- BG3130RH6327XTSA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BG3130RH6327XTSA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BG3130RH6327XTSA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 5V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 8V |
| نوع الترانزستور: | 2 N-Channel (Dual) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-SOT363-6 |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| اسماء اخرى: | BG 3130R H6327 BG 3130R H6327-ND SP000753496 |
| الضوضاء الشكل: | 1.3dB |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | BG3130RH6327XTSA1 |
| ربح: | 24dB |
| تردد: | 800MHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) 5V 14mA 800MHz 24dB PG-SOT363-6 |
| وصف: | MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363 |
| التصويت الحالي: | 25mA |
| الحالي - اختبار: | 14mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBG3130RH6327XTSA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BG3130H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363 | تحقيق |
|
BG3130RE6327BTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363 | تحقيق |
 |
BF1217WR,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH DUAL SOT343R | تحقيق |
 |
CGHV35060MP | Cree/Wolfspeed | RF MOSFET HEMT 50V 20TSSOP | تحقيق |
|
BG3130E6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363 | تحقيق |
 |
PD85025C | STMicroelectronics | FET RF 40V 945MHZ M243 | تحقيق |
 |
MRF5S19100HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ NI-780 | تحقيق |
 |
BLF8G20LS-220U | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18.9DB SOT502B | تحقيق |
|
MRF21030LR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.14GHZ NI-400 | تحقيق |
 |
BLF6G15L-250PBRN,1 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1110A | تحقيق |
 |
MAGX-001090-600L00 | M/A-Com Technology Solutions | TRANSISTOR GAN 600W | تحقيق |
 |
MRFE6S9205HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 66V 880MHZ NI-880 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog