يشترى BG3130RE6327BTSA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BG3130RE6327BTSA1
- رقم القطعة:
- BG3130RE6327BTSA1
- وصف:
- MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18782 Pieces
- ورقة البيانات:
- BG3130RE6327BTSA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BG3130RE6327BTSA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BG3130RE6327BTSA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 5V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 8V |
| نوع الترانزستور: | 2 N-Channel (Dual) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-SOT363-6 |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| اسماء اخرى: | BG 3130R E6327 BG 3130R E6327-ND BG3130RE6327XT SP000014450 |
| الضوضاء الشكل: | 1.3dB |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | BG3130RE6327BTSA1 |
| ربح: | 24dB |
| تردد: | 800MHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) 5V 14mA 800MHz 24dB PG-SOT363-6 |
| وصف: | MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363 |
| التصويت الحالي: | 25mA |
| الحالي - اختبار: | 14mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBG3130RE6327BTSA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BG3130E6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363 | تحقيق |
 |
MRF6S20010NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.17GHZ TO270-2 | تحقيق |
 |
SD3933 | STMicroelectronics | IC TRANS RF PWR HF/VHF/UHF M177 | تحقيق |
 |
MRF7S18125AHR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.88GHZ NI780 | تحقيق |
|
BG3130H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363 | تحقيق |
 |
MRFE6S9045GNR1 | NXP USA Inc. | FET RF 66V 880MHZ TO-270-2 | تحقيق |
 |
CLF1G0035-100,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET HEMT 150V 12DB SOT467C | تحقيق |
|
BG3130RH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363 | تحقيق |
 |
NE3509M04-A | CEL | FET RF 4V 2GHZ 4-SMINI | تحقيق |
 |
MRF6V12250HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.03GHZ NI-780S | تحقيق |
 |
PD55025S-E | STMicroelectronics | FET RF 40V 500MHZ PWRSO10 | تحقيق |
 |
MRF9030LR5 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 945MHZ NI-360 | تحقيق |
|
MRF8S9260HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 70V 960MHZ NI-880HS | تحقيق |
 |
PD57018 | STMicroelectronics | FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10 | تحقيق |
 |
BLA6H1011-600,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539A | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog