العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - رف > BLF278/01,112
BLF278/01,112
BLF278/01,112
رقم القطعة:
BLF278/01,112
الصانع:
Ampleon
وصف:
RF FET 2 NC 125V 22DB SOT262A1
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
18644 Pieces
ورقة البيانات:
BLF278/01,112.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BLF278/01,112 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BLF278/01,112 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى BLF278/01,112 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - اختبار:50V
الجهد - تقييمه:125V
نوع الترانزستور:2 N-Channel (Dual) Common Source
تجار الأجهزة حزمة:CDFM4
سلسلة:-
مخرج قوي:300W
التعبئة والتغليف:Tray
حزمة / كيس:SOT-262A1
اسماء اخرى:934031850112
الضوضاء الشكل:-
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:BLF278/01,112
ربح:22dB
تردد:108MHz
وصف موسع:RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) Common Source 50V 100mA 108MHz 22dB 300W CDFM4
وصف:RF FET 2 NC 125V 22DB SOT262A1
التصويت الحالي:18A
الحالي - اختبار:100mA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لBLF278/01,112

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
BLF278,112 Image BLF278,112 Ampleon USA Inc. RF FET 2 NC 125V 22DB SOT262A1 تحقيق
A2I25D025GNR1 NXP USA Inc. IC TRANS RF LDMOS تحقيق
MRF7S38010HR5 NXP USA Inc. FET RF 65V 3.6GHZ NI-400 تحقيق
MRF9030NBR1 NXP USA Inc. FET RF 65V 945MHZ TO272-2 تحقيق
BLF7G20LS-140P,112 Image BLF7G20LS-140P,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B تحقيق
MRF8VP13350GNR3 NXP USA Inc. TRANS RF LDMOS 350W 50V تحقيق
BLF8G20LS-220J Image BLF8G20LS-220J Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 18.9DB SOT502B تحقيق
BLS7G2730L-200PU Image BLS7G2730L-200PU Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 12DB SOT539A تحقيق
BLF2425M8L140J Image BLF2425M8L140J Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502A تحقيق
BLC8G27LS-210PVZ Image BLC8G27LS-210PVZ Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12513 تحقيق
NE5550234-AZ Image NE5550234-AZ CEL FET RF 30V 900MHZ 3MINIMOLD تحقيق
MRF9045NBR1 NXP USA Inc. FET RF 65V 945MHZ TO272-2 تحقيق
BLM7G22S-60PBY Image BLM7G22S-60PBY Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12121 تحقيق
PTVA120251EAV2R250XTMA1 Image PTVA120251EAV2R250XTMA1 Infineon Technologies IC AMP RF LDMOS تحقيق

Latest الأخبار