يشترى BLF881S,112 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BLF881S,112
- رقم القطعة:
- BLF881S,112
- الصانع:
- Ampleon
- وصف:
- RF FET LDMOS 104V 21DB SOT467B
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17514 Pieces
- ورقة البيانات:
- BLF881S,112.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BLF881S,112 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BLF881S,112 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 50V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 104V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | LDMOST |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 140W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | SOT467B |
| اسماء اخرى: | 568-7553-5 934063948112 BLF881S,112-ND |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 13 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | BLF881S,112 |
| ربح: | 21dB |
| تردد: | 860MHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS 50V 500mA 860MHz 21dB 140W LDMOST |
| وصف: | RF FET LDMOS 104V 21DB SOT467B |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 500mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBLF881S,112
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
ARF477FL | Microsemi Corporation | RF PWR MOSFET 500V 10A | تحقيق |
 |
ARF463BP1G | Microsemi Corporation | RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247 | تحقيق |
 |
BLF884PS,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 21DB SOT1121B | تحقيق |
 |
BLF884P,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 21DB SOT1121A | تحقيق |
 |
BLF888ESU | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 17DB SOT539B | تحقيق |
|
BLF888EU | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 17DB SOT539A | تحقيق |
 |
BLF888,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 19DB SOT979A | تحقيق |
 |
BLF882U | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 20.6DB SOT502A | تحقيق |
 |
BLF888A,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 110V 21DB SOT539A | تحقيق |
 |
AFT26HW050SR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.69GHZ NI780-4S4 | تحقيق |
 |
BLF888AS,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 110V 21DB SOT539B | تحقيق |
|
BLF888BS,112 | Ampleon USA Inc. | RF MOSFET LDMOS DUAL 50V SOT539B | تحقيق |
 |
IXZR08N120 | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | تحقيق |
|
BLF888B,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539A | تحقيق |
 |
BLF882SU | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 20.6DB SOT502B | تحقيق |
 |
BLF881,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 21DB SOT467C | تحقيق |
|
BLF888DU | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539A | تحقيق |
|
BLF888DSU | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539B | تحقيق |
 |
MAGX-000245-014000 | M/A-Com Technology Solutions | TRANSISTOR RF 14W GAN | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog