IXZR08N120 - IXYS - الترانزستورات - فيتس، موسيتس - رف IXZR08N120

IXZR08N120

رقم القطعة:: IXZR08N120

الصانع:: IXYS Corporation

وصف:: RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 16254 Pieces

ورقة البيانات:: IXZR08N120.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXZR08N120 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXZR08N120 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى IXZR08N120 مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - اختبار:	-
الجهد - تقييمه:	1200V
نوع الترانزستور:	N-Channel
تجار الأجهزة حزمة:	PLUS247™-3
سلسلة:	Z-MOS™
مخرج قوي:	250W
التعبئة والتغليف:	Tube
حزمة / كيس:	TO-247-3
الضوضاء الشكل:	-
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:	10 Weeks
الصانع الجزء رقم:	IXZR08N120
ربح:	-
تردد:	100MHz
وصف موسع:	RF Mosfet N-Channel 100MHz 250W PLUS247™-3
وصف:	RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3
التصويت الحالي:	1mA
الحالي - اختبار:	-
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لIXZR08N120

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
IXZR08N120A-00	IXYS	RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3	تحقيق
MRF6S23100HR5	NXP USA Inc.	FET RF 68V 2.4GHZ NI-780	تحقيق
MRF7S27130HSR5	NXP USA Inc.	FET RF 65V 2.7GHZ NI-780S	تحقيق
ATF-34143-TR2G	Broadcom Limited	FET RF 5.5V 2GHZ SOT-343	تحقيق
ATF-34143-TR1	Broadcom Limited	FET RF 5.5V 2GHZ SOT-343	تحقيق
IXZR08N120B-00	IXYS	RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3	تحقيق
UF2840G	M/A-Com Technology Solutions	MOSFET 40W 28V 100-500MHZ	تحقيق
BF245C_D27Z	Fairchild/ON Semiconductor	JFET N-CH 30V 25MA TO92	تحقيق
PTFA180701FV4FWSA1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 70W H-37265-2	تحقيق
ARF463BP1G	Microsemi Corporation	RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247	تحقيق
BLF6G10LS-135RN:11	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B	تحقيق
ATF-36163-TR2G	Broadcom Limited	FET RF 3V 4GHZ SOT-363	تحقيق
CGHV31500F	Cree/Wolfspeed	FET RF 125V 24A 440217	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار