العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - رف > BLF988S,112
BLF988S,112
BLF988S,112
رقم القطعة:
BLF988S,112
الصانع:
Ampleon
وصف:
RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539B
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
18597 Pieces
ورقة البيانات:
BLF988S,112.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BLF988S,112 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BLF988S,112 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى BLF988S,112 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - اختبار:50V
الجهد - تقييمه:110V
نوع الترانزستور:LDMOS (Dual), Common Source
تجار الأجهزة حزمة:LDMOST
سلسلة:-
مخرج قوي:250W
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:SOT539B
اسماء اخرى:934066287112
الضوضاء الشكل:-
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:13 Weeks
الصانع الجزء رقم:BLF988S,112
ربح:20.8dB
تردد:860MHz
وصف موسع:RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 50V 1.3A 860MHz 20.8dB 250W LDMOST
وصف:RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539B
التصويت الحالي:-
الحالي - اختبار:1.3A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لBLF988S,112

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
MRFE6S9160HR3 Image MRFE6S9160HR3 NXP USA Inc. FET RF 66V 880MHZ NI-780 تحقيق
BLF578XR,112 Image BLF578XR,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 110V 23.5DB SOT539A تحقيق
BLF6G20-230P NXP USA Inc. IC BASESTATION FINAL SOT502A تحقيق
MRF6V3090NR1 Image MRF6V3090NR1 NXP USA Inc. FET RF 110V 860MHZ TO270-4 تحقيق
BLP05H6150XRGY Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242 تحقيق
PTFA210701EV4XWSA1 Image PTFA210701EV4XWSA1 Infineon Technologies IC FET RF LDMOS 70W H-36265-2 تحقيق
PXAC261002FCV1R0XTMA1 Infineon Technologies IC AMP RF LDMOS H-37248-4 تحقيق
MRFG35005NT1 Image MRFG35005NT1 NXP USA Inc. FET RF 15V 3.55GHZ 1.5PLD تحقيق
BLF988,112 Image BLF988,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539A تحقيق
MRF5S9101MR1 Image MRF5S9101MR1 NXP USA Inc. FET RF 68V 960MHZ TO2704 تحقيق
A2T21H360-24SR6 NXP USA Inc. IC TRANS RF LDMOS تحقيق
BLL8H1214L-250U Image BLL8H1214L-250U Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502A تحقيق
BF2040RE6814HTSA1 Image BF2040RE6814HTSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 8V 40MA SOT-143R تحقيق
MRF8S9202NR3 NXP USA Inc. FET RF 70V 920MHZ OM780-2 تحقيق

Latest الأخبار