يشترى BS107ARL1G مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BS107ARL1G
- رقم القطعة:
- BS107ARL1G
- وصف:
- MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19453 Pieces
- ورقة البيانات:
- BS107ARL1G.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BS107ARL1G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BS107ARL1G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3V @ 1mA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-92-3 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 6.4 Ohm @ 250mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 350mW (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| اسماء اخرى: | BS107ARL1GOSTR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | BS107ARL1G |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 60pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | - |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 200V 250mA (Ta) 350mW (Ta) Through Hole TO-92-3 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 200V |
| وصف: | MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 250mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBS107ARL1G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTP3N110 | IXYS | MOSFET N-CH 1100V 3A TO-220 | تحقيق |
 |
IXTT96N15P | IXYS | MOSFET N-CH 150V 96A TO-268 | تحقيق |
 |
GKI03026 | Sanken | MOSFET N-CH 30V 22A 8DFN | تحقيق |
 |
FQB7N30TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 300V 7A D2PAK | تحقيق |
 |
BSS340NWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | SMALL SIGNAL+P-CH | تحقيق |
 |
IXTK90N15 | IXYS | MOSFET N-CH 150V 90A TO-264 | تحقيق |
 |
BS107ARL1 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92 | تحقيق |
 |
IRF6894MTR1PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET | تحقيق |
|
IXTP05N100M | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 700MA TO-220 | تحقيق |
 |
STE180NE10 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 180A ISOTOP | تحقيق |
|
BS107AG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92 | تحقيق |
 |
IRFBF20STRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK | تحقيق |
|
BS107G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92 | تحقيق |
 |
NVMFS6B03NWFT3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 132A SO8FL | تحقيق |
 |
PHM18NQ15T,518 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 150V 19A SOT685-1 | تحقيق |
 |
IRFP150A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 43A TO-3 | تحقيق |
 |
IPI60R165CPAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 21A TO-262 | تحقيق |
 |
FQD12N20LTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 9A DPAK | تحقيق |
|
IRL5602STRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog