BSB053N03LP G
BSB053N03LP G
رقم القطعة:
BSB053N03LP G
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
19159 Pieces
ورقة البيانات:
BSB053N03LP G.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BSB053N03LP G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BSB053N03LP G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى BSB053N03LP G مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2.2V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:MG-WDSON-2, CanPAK M™
سلسلة:OptiMOS™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:5.3 mOhm @ 30A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):2.3W (Ta), 42W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:3-WDSON
اسماء اخرى:SP000597830
درجة حرارة التشغيل:-40°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):3 (168 Hours)
الصانع الجزء رقم:BSB053N03LP G
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:2700pF @ 15V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:29nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 30V 17A (Ta), 71A (Tc) 2.3W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):30V
وصف:MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:17A (Ta), 71A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات