BSC900N20NS3 G
BSC900N20NS3 G
رقم القطعة:
BSC900N20NS3 G
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TDSON
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
14352 Pieces
ورقة البيانات:
BSC900N20NS3 G.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BSC900N20NS3 G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BSC900N20NS3 G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى BSC900N20NS3 G مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 30µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PG-TDSON-8
سلسلة:OptiMOS™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:90 mOhm @ 7.6A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):62.5W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:8-PowerTDFN
اسماء اخرى:BSC900N20NS3G
BSC900N20NS3GATMA1
BSC900N20NS3GTR
SP000781780
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:16 Weeks
الصانع الجزء رقم:BSC900N20NS3 G
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:920pF @ 100V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:11.6nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 200V 15.2A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):200V
وصف:MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TDSON
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:15.2A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات