يشترى FCB20N60_F085 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
FCB20N60_F085
- رقم القطعة:
- FCB20N60_F085
- الصانع:
- Fairchild/ON Semiconductor
- وصف:
- MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12746 Pieces
- ورقة البيانات:
- FCB20N60_F085.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل FCB20N60_F085 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك FCB20N60_F085 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±30V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | D²PAK (TO-263AB) |
| سلسلة: | Automotive, AEC-Q101, SuperFET™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 198 mOhm @ 20A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 341W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| اسماء اخرى: | FCB20N60_F085DKR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 37 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | FCB20N60_F085 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 3080pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 102nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 600V 20A (Tc) 341W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
| وصف: | MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 20A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لFCB20N60_F085
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
FDS6673BZ_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-SOIC | تحقيق |
 |
HUFA75639S3ST_F085A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK | تحقيق |
 |
FCB20N60FTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK | تحقيق |
 |
IXTA160N085T | IXYS | MOSFET N-CH 85V 160A TO-263 | تحقيق |
|
FCB20N60TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK | تحقيق |
|
FCB20N60F_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N CH 600V 20A TO-263AB | تحقيق |
 |
NTTFS5C673NLTWG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 13A 8WDFN | تحقيق |
 |
R6020ANJTL | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS | تحقيق |
 |
SIA466EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 25A SC-70-6 | تحقيق |
 |
R8010ANX | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 10A TO220 | تحقيق |
 |
BS170PSTOB | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3 | تحقيق |
 |
TN2640K4-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 400V 500MA 3DPAK | تحقيق |
|
IRL1404ZSTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK | تحقيق |
 |
NTMFS5C410NLTT3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 312A SO8FL | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers