يشترى BSM300D12P2E001 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BSM300D12P2E001
- رقم القطعة:
- BSM300D12P2E001
- الصانع:
- LAPIS Semiconductor
- وصف:
- MOSFET 2N-CH 1200V 300A
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16893 Pieces
- ورقة البيانات:
- BSM300D12P2E001.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BSM300D12P2E001 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BSM300D12P2E001 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 68mA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | Module |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | - |
| السلطة - ماكس: | 1875W |
| التعبئة والتغليف: | Tray |
| حزمة / كيس: | Module |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | BSM300D12P2E001 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 35000pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | - |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET الميزة: | Standard |
| وصف موسع: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 300A 1875W Chassis Mount Module |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| وصف: | MOSFET 2N-CH 1200V 300A |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 300A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBSM300D12P2E001
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
GWM160-0055X1-SMD | IXYS | MOSFET 6N-CH 55V 150A ISOPLUS | تحقيق |
 |
SI8900EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP | تحقيق |
 |
IRF6702M2DTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET | تحقيق |
 |
DMN3032LFDBQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 6.2A U-DFN2020 | تحقيق |
 |
AO4838 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 11A 8SOIC | تحقيق |
|
SI6969BDQ-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 12V 4A 8TSSOP | تحقيق |
 |
APTC60TAM35PG | Microsemi Corporation | MOSFET 6N-CH 600V 72A SP6-P | تحقيق |
 |
BSD235C L6327 | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 20V SOT-363 | تحقيق |
 |
DMC31D5UDJ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 30V SOT963 | تحقيق |
 |
ECH8601M-C-TL-H | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 24V 8A ECH8 | تحقيق |
|
DMP4050SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 40V 4A 8SO | تحقيق |
 |
SIA910EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6 | تحقيق |
|
AO4882 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog