يشترى SI8900EDB-T2-E1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SI8900EDB-T2-E1
- رقم القطعة:
- SI8900EDB-T2-E1
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14262 Pieces
- ورقة البيانات:
- SI8900EDB-T2-E1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI8900EDB-T2-E1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI8900EDB-T2-E1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1V @ 1.1mA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | 10-Micro Foot™ CSP (2x5) |
| سلسلة: | TrenchFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | - |
| السلطة - ماكس: | 1W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 10-UFBGA, CSPBGA |
| اسماء اخرى: | SI8900EDB-T2-E1TR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | SI8900EDB-T2-E1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | - |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| وصف موسع: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 5.4A 1W Surface Mount 10-Micro Foot™ CSP (2x5) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف: | MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 5.4A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSI8900EDB-T2-E1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SI6969BDQ-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 12V 4A 8TSSOP | تحقيق |
 |
GWM220-004P3-SL SAM | IXYS | MOSFET 6N-CH 40V 180A ISOPLUS | تحقيق |
 |
SI8901EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 3.5A 6-MFP | تحقيق |
|
SI8902EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6-MFP | تحقيق |
 |
IRF7343QTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC | تحقيق |
 |
APTC60TAM35PG | Microsemi Corporation | MOSFET 6N-CH 600V 72A SP6-P | تحقيق |
 |
AON2801L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH DUAL DFN | تحقيق |
|
SI8904EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 3.8A 6-MFP | تحقيق |
 |
ALD110900SAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC | تحقيق |
 |
SIA910EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6 | تحقيق |
 |
SH8K1TB1 | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 5A SOP8 | تحقيق |
 |
AO4838 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 11A 8SOIC | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog