يشترى BSO080P03NS3GXUMA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BSO080P03NS3GXUMA1
- رقم القطعة:
- BSO080P03NS3GXUMA1
- وصف:
- MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15740 Pieces
- ورقة البيانات:
- BSO080P03NS3GXUMA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BSO080P03NS3GXUMA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BSO080P03NS3GXUMA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3.1V @ 150µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-DSO-8 |
| سلسلة: | OptiMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 8 mOhm @ 14.8A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1.6W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| اسماء اخرى: | BSO080P03NS3 G BSO080P03NS3 G-ND BSO080P03NS3 GTR-ND BSO080P03NS3G SP000472996 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | BSO080P03NS3GXUMA1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 6750pF @ 15V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 81nC @ 10V |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | P-Channel 30V 12A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 12A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBSO080P03NS3GXUMA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BSO080P03S H | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO | تحقيق |
|
BSO080P03SNTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO | تحقيق |
|
BSO080P03NS3EGXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO | تحقيق |
 |
SI4430BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC | تحقيق |
|
BSO119N03S | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 9A 8DSO | تحقيق |
|
SI4842BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 28A 8-SOIC | تحقيق |
 |
FQD5N40TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK | تحقيق |
 |
IRFB7434PBF | Infineon Technologies | MOSFET N CH 40V 195A TO220 | تحقيق |
|
BSO083N03MSGXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 11A 8DSO | تحقيق |
|
SQ2361ES-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog