BSO080P03S H
BSO080P03S H
رقم القطعة:
BSO080P03S H
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
12858 Pieces
ورقة البيانات:
BSO080P03S H.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BSO080P03S H ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BSO080P03S H عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى BSO080P03S H مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2.2V @ 250µA
فغس (ماكس):±25V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:P-DSO-8
سلسلة:OptiMOS™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:8 mOhm @ 14.9A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):1.79W (Ta)
التعبئة والتغليف:Original-Reel®
حزمة / كيس:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
اسماء اخرى:BSO080P03S HDKR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):3 (168 Hours)
الصانع المهلة القياسية:12 Weeks
الصانع الجزء رقم:BSO080P03S H
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:5890pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:136nC @ 10V
نوع FET:P-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:P-Channel 30V 12.6A (Ta) 1.79W (Ta) Surface Mount P-DSO-8
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):30V
وصف:MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:12.6A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات